近年来，随着社会的发展与进步，第三代半导体材料开始崭露头角，迎来新风口。对比一代、二代半导体材料，第三代半导体材料作用显著，在5G领域建设中有着很大用途，而且我国正在规划将大力发展第三代半导体产业写入十四五规划之中，基于此，华微电子积极布局第三代半导体产业，助力我国实现弯道超车。
国家计划把大力支持发展第三代半导体产业写进目前正在制定的十四五规划中，必将推动第三代半导体材料、器件和应用技术的大力发展。华微电子表示，第三代半导体技术，我国与国外在技术上差距小，大力发展第三代半导体能够使我们具有拥有和国际巨头齐头并进和换道超车的条件。
在过去的两年，受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素，第三代半导体产业稳步发展，涌现第三代半导体材料投资热潮。
不过，第三代半导体并非是在第一代、第二代半导体的技术上进行一种简单的迭代，而是一个全新的技术架构。这要求真正有能力、有自主知识产权的企业能够沉淀下来去做这件事。
在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。
最大的瓶颈是原材料。华微电子表示，我国原材料的质量、制备问题亟待破解，另外相关材料制备的关键设备依靠进口。SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平还有差距；其应用技术的研究比较关键，若相关配套技术及产品跟不上，第三代半导体的材料及器件的作用和效率可能会发挥不好。
目前SiC产品已经可以提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。华微电子表示，下一步，将进一步发挥公司的IDM模式的优势，集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术，完善相关生产线开发和制造能力，为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。
为扩大公司生产线，2019年，华微电子以每股3.90元价格公开发行2.1亿股，募集资金总额8.3亿元，用于新型电力电子器件基地项目投资。
华微电子介绍，新型电力电子器件基地项目建成以后能够有力地补充公司的产品种类和提升产品性能。二期项目规划的产品主要是中低压MOSFET、IGBT和超结MOSFET产品，主要应用市场是电池保护、电动工具、基站电源、工业控制、充电桩和汽车电子，在这些领域华微电子产品技术储备完善，建成后可以快速发挥IDM模式的优势，快速提升产品线的盈利能力。在当前国产化替代趋势的环境下，有望快速突破高端领域。
