近日,国家发改委、科技部、工信部、财政部等四部门联合印发了《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》,提出要“聚焦新能源装备制造‘卡脖子’问题,加快IGBT、控制系统等核心技术部件研发”。而在我国,比亚迪深耕半导体领域多年,取得了丰厚成果,除了已经为人所熟知的IGBT、SiC功率器件之外,比亚迪半导体还在MCU(微控制单元)、AC-DC、保护IC等智能控制IC,嵌入式指纹识别芯片、CMOS图像传感器、电流电压传感器等智能传感器,以及光电半导体等领域取得显著成果。比亚迪深耕半导体技术,打破国外企业垄断,实现了从工业消费级半导体产品技术,到车规级高效率、高智能、高集成半导体技术的跨越式发展,解决了汽车电动化、智能化进程中的关键技术问题。2005年,比亚迪组建团队,开始研发IGBT(绝缘栅双极晶体管);2009年推出国内首款自主研发IGBT芯片,打破国外企业的技术垄断;2018年推出的IGBT 4.0芯片,成为国内中高端IGBT功率芯片新标杆。目前,以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆,单车行驶里程超过100万公里。