半导体作为新一代高新技术，具有技术含量高，涉及产业链长，是科技产业的重要组成部分，也成为衡量一个国家综合实力的一部分，所以在这样的大背景下，功率半导体行业的发展也得到了国家的重视。
近日，民进中_央拟提交“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”。提案中提到，当前从全球功率半导体市场看，一方面传统的硅材料功率半导体仍然有巨大的发展空间，另一方面以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正蓬勃发展，而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器件研发起步晚，在技术上仍有很大差距。可喜的是，在国家多项科研计划的扶持下，这方面已经大幅缩小了与国际的技术差距，并取得了不少成就。
随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用的不断涌现以及节能减排需求日益迫切，我国功率半导体有庞大的市场需求，容易催生新产业新技术，在国家政策利好下，功率半导体将成为“中国芯”的最好突破口。
为此，民进中_央建议：
一、进一步完善功率半导体产业发展政策，大力扶持硅材料功率半导体芯片技术攻关，立项支持硅材料功率半导体材料、芯片、器件等设计和制造工艺流程技术。经过多年布局和发展，我国在硅材料 IGBT芯片技术方面有一定的技术基础和沉淀，可以将集中突破硅材料6代功率芯片产品设计及批量制造工艺技 术作为发展重点，采取先易后难、解决“有无”问题的发展策略，尽快实现功率半导体芯片自主供给。
二、加大新材料科技攻关。大数据传输、云计算、AI 技术、物联网，包括下一步的能源传输，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，大功率芯片的市场需求非常大。从产业发展趋势看，碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体优势明显，是下一代功率半导体的核心技术方向。
目前碳化硅、氮化镓市场处于起步阶段，国内厂商与海外传统巨头之间差距较小，国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车。
一是要把功率半导体新材料研发列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点；
二是引导企业积极满足未来的应用需求，进行前瞻性布局。推动功率半导体龙头企业着力攻克一批产业发展关键技术、应用技术难题，在国际竞争中抢占先机；
三是要避免对新概念的过热炒作。新材料从发现潜力到产业化，需要建立起高效的产学研体系，打造更加开放包容的投资环境。
三、谨慎支持收购国外功率半导体企业。通过收购很难实现完全学会和掌握国际先进的功率半导体芯 片设计及制造工艺技术，同时海外工厂制造的产品仍然存在着无法出口到中国的危险。
业内指出，功率半导体关系到我国智能电网、高铁动力系统、汽车动力系统等关键零部件的国产化进程，是关系到高铁工业、汽车工业自主可控的战略性产业。国家政策的支持将加速我国高端功率器件的发展进程，未来市场空间广阔。
其中，功率半导体器件龙头企业华微电子在2019年年报中表示，华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体晶圆生产线，产品覆盖IGBT芯片、MOSFET芯片和IC芯片，处于国内行业领先地位；同时，8英寸生产线预计在2020年6月投入使用，将进一步提升华微电子的制造能力。
在IGBT领域，华微电子将进行重要布局。华微电子表示将拓展白色家电、工业变频、UPS和新能源领域IGBT产品的份额；开发新一代Trench FS IGBT产品平台，产品关键参数性能较上一代提升15%；对于新能源车用芯片，推出自主设计集成电流传感器和温度传感器的IGBT芯片和配套的模块方案，提高产品功率密度和效率，适应电控系统的轻量化要求。
目前，国内市场上销售的IGBT、低压trench-MOS和超结MOS产品多为进口产品，产品售价较高。据公告，华微电子8英寸产品具有进口替代优势，拟应用在新能源汽车、变频家电和厨房电源三大领域。与进口同类产品相比，生产成本较低，产品售价预计会有较强的市场竞争力。
目前华微电子的产品已经向新能源汽车、变频家电、工业和光伏新兴领域快速拓展，并已取得良好效果。华微电子已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系，正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变。
