作为功率半导体行业的龙头企业，为进一步降低产品导通电阻，丰富在电源领域的产品系列，华微电子CCT MOS产品正式发布，助力我国半导体产业发展。
CCT MOS即场耦合沟槽MOSFET（Couple Charge Trench Metal-Oxide-Semiconductor Effect Transistor），为低压TRENCH MOS的升级产品。CCT MOS在原理上利用电荷平衡效应（chrange coupling effect）；在结构上采用屏蔽栅结构（SGT），即在TRENCH MOS基础上引入屏蔽栅结构。通过结构的改变，在相同耐压下，有更低的导通电阻。也是由于此结构，屏蔽栅使米勒电容减小，开关速度提高。前者使静态损耗降低，后者使动态损耗降低，进而总功耗更小。
华微电子CCT MOS产品技术上，包括芯片设计、终端、单胞、TRENCH、SGT。
利用CCT原理，采用深槽TRENCH结构，打破常规TRENCH结构电压和电阻的限制关系，相同电压条件下具有更低的电阻；利用CCT原理，在深槽TRENCH结构基础上采用SGT结构，使得米勒电容减少，开关速度提高，使得开关损耗大大减少；终端采用TRENCH结构，终端具有横向电场，耐压效果好，效率高，芯片面积更小。
华微电子CCT MOSFET产品所有功率器件均为自主研发和生产，产品电压范围为80V-150V，电流范围为60A-150A；主要产品包括TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAK、IPAK、PDFN5*6、SOP-B等。
其中华微电子80V-100V CCT MOS产品具备如下特点：低栅极电荷、低RDSON；低功耗、高效率；良好的温度特性；高抗DV/dt能力；开关速度快。可应用于电源、电动车控制器、BMS等领域。
吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业，公司经科技部、中科院等国家机构认证，被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室。
公司总资产近55.73亿元，员工2000余人，技术人员占公司总人数的30%以上，占地面积40万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米，主要净化级别为0.3微米百级。公司于 2001 年3月在上海证券交易所上市，为国内功率半导体器件领域首家上市公司。
华微电子紧随市场发展，将积累多年的技术经验厚积薄发，引领技术前沿，开拓新兴领域。公司拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年500万片，封装资源为每年24亿只，模块每年1800万块。
