根据市场情况来说，我国功率半导体行业呈现出十分明显的供需不匹配特点，国内功率半导体企业多以低端产品为主，国产替代缺口庞大，高端产品依赖于进口。而华微电子作为国内功率半导体行业的龙头企业，将全面进军高端市场，助力国产化替代战略落地。
在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，在工业、汽车电子、5G、充电桩等领域产品的应用，已经取得一定成果，并获得国内知名企业的认可。
谈及未来发展，华微电子表示将继续以公司传统的功率半导体芯片制造为核心，继续做大做强芯片制造能力，纵向发展建立8英寸生产线，实现高端VDMOS、IGBT器件制造，满足快速增长的市场需要，横向扩展建立硅外延生产线，保证材料安全供应，建立封装测试生产线，重点建设模块生产线，向高压大功率方向发展，打造功率半导体产业制造基地，完善功率半导体产业链，加速功率半导体国产化进程。
华微电子会继续发展自主研发、平台建设的IDM优势，不断升级硅基功率器件的性能和品质。公司具有IGBT、MOSFET、二极管、可控硅和BJT等全功率器件工艺平台，包含单管、IPM及PM等各类封装形式的产品，未来公司仍会把功率半导体作为主要技术发展方向，结合公司市场领域，逐步建立配套的驱动IC生产线。华微电子表示，在中低压MOSFET上，公司将进一步升级现有技术平台，不久将会推出第二代CCT MOSFET，以100V产品为例，单位面积导通电阻达到40毫欧。完善产品电压等级，建立起从10V-250V产品的全系列的电压平台，除了在消费领域内应用外，拓展到服务器电源、5G、工业、人工智能和汽车电子。
对于高压MOSFET，今年年底会推出第二代超结MOSFET产品，进一步提升该系列产品的耐用性和效率，应用于充电桩和基站电源。在未来的2-3年我们会继续提升超结MOS平台，采用多层外延结构，开发第三代超结MOS平台，达到与国际领域一致的性能，产品系列覆盖500V-700V，4A-72A全系列，能满足各个领域的产品需求。
FRD二极管和IGBT一直是我们的核心产品，在未来2-3年，我们将致力于开发用于轨道交通和电网领域内需求的超高压产品系列，电压覆盖1700V-6500V。华微电子还表示：Trench肖特基方面，公司已完成45V、60V、100V产品Trench SBD平台建设，正在开发80V、150V产品平台，具备势垒高度可调技术，可满足客户对于使用效率的更高需求，比平面产品具有更高的可靠性能力，应用在光伏领域和电源领域。此外华微电子积极布局GaN和SiC器件，研发和生产增强型GaNHEMT，先在快充领域做GaN器件和应用方案，然后过渡到工业和通信电源领域；对于SiC器件，目前已经研发出了650V SBD二极管产品，将进一步拓展到1200V二极管和SiC MOSFET，主要应用于新能源汽车及充电桩。
